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The series-connected semiconductor devices structure is one way to achieve a high voltage rating. However, a problem with voltage imbalance exists in which different voltages are applied to the series-connected switches. This paper proposed a new voltage balancing technique that controls the turn-off delay time of the switch by adding one bipolar junction transistor to the gate turn-off path. The validity of the proposed method is proved through simulation and experiment. The proposed active gate driver not only enables voltage balancing across a variety of current ranges but also has a greater voltage balancing performance compared with conventional RC snubber methods.
목차
Abstract
1. 서론
2. 스위치 턴-오프 특성 분석
3. 제안하는 게이트 구동 기법
4. 시뮬레이션
5. 실험 결과
6. 결론
References
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