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Woon Jae Ruh (Chungnam National University) Hyeon Jin Choi (Chungnam National University) Jong Hoon Kim (Chungnam National University) Seung Woo Jeon (Chungnam National University) Young-Kyun Noh (IVWorks Co.) Mino Yang (Korea Basic Science Institute) Young Heon Kim (Chungnam National University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.20 No.1
발행연도
2024.1
수록면
49 - 55 (7page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s13391-023-00435-2

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The formation of controllable 3D structures on the surface of layered optoelectronic devices using GaN-basedsemiconductors is important for improving the external quantum effi ciency by enhancing the light-emitting effi ciency. Inthis study, as-grown short hexagonal pillar structures on GaN-based semiconductors were transformed into a hexagonalpyramid shape during a focused ion-beam process. After forming the hexagonal pyramid shape, it was found that the size ofthe hexagonal pyramid can be adjusted by varying the sputtering time while preserving the pyramid shape. The transformationof the as-grown pillar structures to 3D hexagonal pyramids was demonstrated by analyzing the morphological evolutionwith the sputtering time by simulating the FIB process and calculating the eff ective ion bombardment area during sputtering.

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