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자료유형
학술저널
저자정보
이재상 (안동대학교) 오경식 (안동대학교) 백용균 (안동대학교)
저널정보
한국분말야금학회 한국분말야금학회지 한국분말재료학회지 제31권 제2호
발행연도
2024.4
수록면
146 - 151 (6page)
DOI
10.4150/jpm.2024.00024

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Pure SnO2 has proven very difficult to densify. This poor densification can be useful for the fabrication of SnO2 with a porous microstructure, which is used in electronic devices such as gas sensors. Most electronic devices based on SnO2 have a porous microstructure, with a porosity of > 40%. In pure SnO2, a high sintering temperature of approximately 1300C is required to obtain > 40% porosity. In an attempt to reduce the required sintering temperature, the present study investigated the low-temperature sinterability of a current system. With the addition of TiO2, the compositions of the samples were Sn1-xTixO2-CoO(0.3wt%)-CuO(2wt%) in the range of x ≤ 0.04. Compared to the samples without added TiO2, densification was shown to be improved when the samples were sintered at 950C. The dominant mass transport mechanism appears to be grain-boundary diffusion during heat treatment at 950C.
#Sintering additives #Porous microstructure #Low-temperature sintering #Activated sintering #Dielectric constant

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