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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.11
- 수록면
- 128 - 132 (5page)
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The p-type NiO thin-film transistor (TFT) has gained attention as a p-type oxide semiconductor material for implementing oxide CMOS circuits due to its high thermal stability and excellent electrical properties. We analyzed the impact of annealing temperature on the performance of NiO TFTs using technology computer-aided design (TCAD) simulations. Based on the measured data, the nonlinearity factor 𝛾 was extracted, and variations in the subgap density of states (DOS) under different annealing temperature were observed through TCAD simulations. It was found that as the annealing temperature increased, the nonlinearity of the TFT decreased, which was attributed to the reduction in subgap DOS. The results of this study elucidate the mechanism by which annealing temperature affects the performance of p-type NiO TFTs and are expected to provide a deeper understanding for the future development of p-type oxide semiconductors.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
참고문헌
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