Performance of Solution Processed Zn-Sn-O Thin-film Transistors Depending on Annealing Conditions

한상민; 이상렬; 최준영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 한상민 이상렬 최준영

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제16권 제2호

발행연도: 2015.1

수록면: 62 - 64 (3page)

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We have investigated zinc tin oxide (ZTO) thin films under various silicon ratios. ZTO TFTs were fabricated by solutionprocessing with the bottom gate structure. Furthermore, annealing process was performed at different temperaturesin various annealing conditions, such as air, vacuum and wet ambient. Completed fabrication of ZTO TFT, and theperformance of TFT has been compared depending on the annealing conditions by measuring the transfer curve. In addition, structure in ZTO thin films has been investigated by X-ray diffraction spectroscopy (XRD) and Scanningelectron microscope (SEM). It is confirmed that the electrical performance of ZTO TFTs are improved by adoptingoptimized annealing conditions. Optimized annealing condition has been found for obtaining high mobility.

#Oxide TFT #ZTO #Thin film transistor #N2 #Vacuum #Wet #Annealing

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C. Guille?n / 2007 / Structure, optical, and electrical properties of indium tin oxide thin films prepared by sputtering at room temperature and annealed in air or nitrogen /

Chuanjia Wu / 2013 / Characterization of amorphous Si-Zn-Sn-O thin films and applications in thin-film transistors / Applied Physics Letters 103 (8) : 082109 ~

Dae-Ho Son / 2013 / Effects of Addition of Ta and Y Ions to InZnO Thin Film Transistors by Sol?Gel Process / Journal of Nanoscience and Nanotechnology 13 (6) : 4211 ~ 4215

Elvira M. C. Fortunato / 2008 / High mobility indium free amorphous oxide thin film transistors / Applied Physics Letters 92 (22) : 222103 ~

Eugene Chong / 2013 / First-principle study of amorphous SiZnSnO thin-film transistor with excellent stability / Thin Solid Films 534 : 609 ~ 613

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