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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.11
- 수록면
- 673 - 678 (6page)
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Gallium oxide layer has attracted attention for nanoscale semiconductors and dielectrics due to its excellent electrical properties. Researchers have explored methods to fabricate gallium oxide layer using eutectic-gallium-indium (EGaIn) alloy, though most existing methods rely on static mechanisms, which are susceptible to external factors and yield inconsistent film quality. We introduce a novel dynamic approach for fabricating gallium oxide by impacting EGaIn droplets onto inclined surfaces. The impact behavior of EGaIn was investigated under varying inclination angles and velocities, and increasing both parameters resulted in a larger oxide layer area. By considering forces such as surface tension and van der Waals forces on the oxide film, we calculated the equilibrium contact angle important for oxide layer formation. Observations of the contact angles during impact behavior showed a good agreement with our theoretical model. This approach enables rapid fabrication of large-area oxide layers and improves quality by reducing external uncertainties.
목차
Abstract
1. 서론
2. 연구 방법
3. 결과 분석 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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