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Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성
한국재료학회지
1998 .01
황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )
전자공학회논문지-A
1994 .12
In2O3 / ( p ) Si 태양전지에 관한 연구 ( A Study on the In2O3 / ( p ) Si Solar Cell Made by PVD )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
열로 산화된 InP의 특성에 관한 연구
전기학회논문지
1988 .06
Si 및 InP 위에 PECVD법에 의한 $Si_{3}N_{4}$의 증착
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
P+ -In0.53Ga0.47As/InP의 저항성 접촉 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .06
다결정 Si/SiO₂ ∥ Si 적층구조에서 SiO₂층의 두께에 따른 유전특성의 변화
한국표면공학회지
2000 .08
Capacitance-Voltage Characteristics in the Double Layers of SiO₂/Si₃N₄
전기학회논문지 C
2003 .10
SiO₂/Si₃N₄ 2중층 박막의 유전특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .07
Japan's PVD utilization and development during the last four decades with special focus on the intrinsic problem concerning PVD
한국지반신소재학회 학술발표회
2003 .04
Si-SiO₂系의 問題点과 研究動向
전기의세계
1985 .06
영향인자를 고려한 PVD의 압밀도 산정에 관한 연구
대한토목학회논문집 C
2001 .11
PVD법을 이용한 칼라코팅 기술
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .05
DIRECT WAFER BONDING BETWEEN InP WAFER AND $Si_3N_4/InP$
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )
한국통신학회 학술대회논문집
1988 .01
InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )
특정연구 결과 발표회 논문집
1988 .01
p-InP의 저항성 합금 접촉 특성 연구 ( The Properties of Alloyed Ohmic Contact to p-InP )
전자공학회논문지
1990 .04
Effects of CH₂F₂ and H₂ flow rates on process window for infinite etch selectivity of silicon nitride to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled plasmas
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .05
PVD 코팅의 금형에의 적용
한국소성가공학회 학술대회 논문집
2002 .10
PVD법에 의한 신내식성 금속막의 제작
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2004 .11
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