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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.5
- 수록면
- 250 - 251 (2page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
2009
Highly selective etching of silicon nitride to CVD a-C in dual-frequency capacitively coupled CH₂F₂/H₂plasmas
김진성
,
권봉수
,
안정호
외 6명
한국진공학회 학술발표회초록집
2009.08
학술대회자료
Effects of CH₂F₂ and H₂ flow rates on process window for infinite etch selectivity of silicon nitride to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled plasmas
김진성
,
권봉수
,
박영록
외 6명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009.05
학술대회자료
Effects of CH₂F₂ and H₂ flow rates on process window for infinite etch selectivity of silicon nitride to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled plasmas
김진성
,
권봉수
,
안정호
외 2명
한국진공학회 학술발표회초록집
2009.02
학술대회자료
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For the fabrication of a multilevel resist (MLR) based on a very thin amorphous carbon (a-C) layer and Si₃N₄ hard-mask layer, the selective etching of the Si₃N₄ layer using physical-vapor-deposited (PVD) a-C mask was investigated in a dual-frequency superimposed capacitively coupled plasma etcher by varying the following process parameters in CH₂F₂/H₂/Ar plasmas : HF/LF power ratio (P<SUB>HF</SUB>/P<SUB>LF</SUB>), and CH₂F₂ and H₂ flow rates. It was found that infinitely high etch selecti ... 전체 초록 보기
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