RHEED 강도의 진동을 이용한 단 분자층 및 초격자 성장 ( One Monolayer and Super Lattice Sturcture Growth Using by RHEED Intensity Oscillation )

유순재 ,  강태원 ,  이재진 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE성장중 RHEED 강도의 진동관측에 의한 조성비 측정 ( Measurements of Composition Ratio by RHEED Intensity Oscillation During MBE Growth )

이재진 ,  맹성재 ,  김진섭 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

ANALYSIS OF SrTiO$_3$STEP-FLOW GROWTH BY RHEED

Shin ,  Dong-Suk ,  Lee 외 13명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

표면구조의 분석

박찬

대한전자공학회 워크샵

1988 .04

표면구조의 분석 : LEED / RHEED / STM

박찬

대한전자공학회 워크샵

1988 .01

MBE성장전 ( 100 ) GaAs 표면의 열처리에 대한 RHEED-AES의 분석에 관한 연구 ( A Study on RHEED-AES Analysis with Thermal Treatment of ( 100 ) GaAs Surface Prior to MBE Growth )

이재진 ,  강태원 ,  김봉열 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

초격자 소자의 개발 및 특성 ( Development and Characterization of Superlattice Devices )

우종천

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

초격자 소자의 개발 및 특성 ( Development and Characterization of Superlattice Devices )

우종천

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

As과 Ga 빔 조사에 의해 세척된 Si(100) 기판 위에 GaAs 에피층 성장과 RHEED 패턴

임광국 ,  김민수 ,  임재영

한국표면공학회지

2010 .08

계면경사가 있는 반도체 초격자의 밴드 구조 ( The band structure of semiconductor superlattice with interface grading )

김장래 ,  박종문 ,  김충원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

Superlattice에서의 전도특성연구 ( Transport properties in superlattices )

조중열

전자공학회논문지-A

1996 .01

a-Si:H/a-SiN:H 초격자구조의 제작 및 특성 ( Fabrication of a-Si:H/a-SiN:H Superlattices and Its Properties )

박상준 ,  최시영

전자공학회논문지-A

1992 .06

Si(111) Homoepitaxial성장에서 중간금속이 미치는 영향

곽호원 ,  이의완 ,  박동수 외 4명

한국재료학회지

1993 .01

초격자 구조를 이용한 반도체 소자의 연구 동향

이승창

전자공학회지

1990 .10

a-Si : H / a-SiN : H 초격자 구조를 이용한 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of Thin Film Transistors with a-Si : H / a-SiN : H Superlattices )

박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

SOI 응용을 위한 반도체-원자 초격자 구조의 특성

徐龍辰

전기학회논문지 C

2004 .06

초격자를 응용한 고속소자 개발현황

이재진 ,  이종람 ,  맹성재 외 1명

[ETRI] 전자통신동향분석

1988 .06

RF Magnetron Sputtering으로 증착된 PTO/PZO 초격자 박막의 유전 특성

한현자 ,  이병수

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01