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A Simulation of Fowler-Nordheim Tunneling Current with Trapped Charge in Thin Gate MOS Structures
전기학회논문지
1989 .03
박막 MOS 구조내의 깊은 공핍층 Mode에 의한 Fowler-Nordheim 1-Vg and C-V 특성 ( Fowler-Nordheim I-Vg and C-V Characteristics Due to Deep Depletion Mode in Thin Gate-Oxide MOS Structures )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
Charge Trapping and Device Degradation Induced by Fowler-Nordheim Stress in Ultrathin Gate Oxide MOSFETs
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
Effect of Silicon Wafer Surface Orientation on Gate Oxide Degradation during Constant Current Fowler-Nordheim Stress at Low Electron Fluence
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
直流 電壓에 의한 微小 眞空갭의 前驅放電 電界放出
조명·전기설비
1997 .04
STS 기판 위에서 성장한 탄소나노튜브의 전계방출특성평가
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2007 .06
Fowler-Nordheim 스트레스에 의한 MOS 문턱전압 이동현상을 응용한 비교기 옵셋 제거방법
전자공학회논문지-SD
2009 .03
Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
Trailing Edge Flap Track 개념 설계를 위한 Kinematic Analysis
한국항공우주학회 학술발표회 초록집
2013 .04
$N_2O$ 분위기에서 열산화법으로 성장시킨 $SiO_2$초박막의 전기적 특성
한국재료학회지
1994 .01
도핑한 산화막 및 질화막의 확산특성 ( Diffusion Characterization of Doped Oxide and Nitride Film )
전자공학회지
1985 .03
Well aligned carbon nanotubes grown on a large area Si substrate by thermal CVD
한국정보디스플레이학회 학술대회
2000 .01
질소 주입에 따른 게이트 산화막의 특성에 미치는 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
유한요소법과 전계-열전자 방출 모델에 의한 절연유체 내 공간전하 전파해석
전기학회논문지
2009 .10
SANOS 메모라 셀 트랜지스터의 다른 Charge Trapping layer에 따른 전기적 특성 및 신뢰성 분석
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
FN-tunneling-current Modeling in a Recessed-channel Structure
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2017 .10
재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )
전자공학회논문지-A
1991 .09
비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석
한국정보통신학회논문지
2016 .05
저전압 Floating Gate 형 메모리 IP
대한전자공학회 학술대회
2008 .05
DRAM 비트라인 감지증폭기의 옵셋보정
대한전자공학회 학술대회
2008 .05
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