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Charge Trapping and Device Degradation Induced by Fowler-Nordheim Stress in Ultrathin Gate Oxide MOSFETs
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
Fowler-Nordheim 터널링 전자주입에 의한 질화 게이트 산화막의 특성 분석 ( Characterization of Nitrided Gate Oxides by Fowler-Nordheim Tunneling Eletron Injection )
전자공학회논문지-D
1998 .07
박막 MOS 구조내의 깊은 공핍층 Mode에 의한 Fowler-Nordheim 1-Vg and C-V 특성 ( Fowler-Nordheim I-Vg and C-V Characteristics Due to Deep Depletion Mode in Thin Gate-Oxide MOS Structures )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
A Simulation of Fowler-Nordheim Tunneling Current with Trapped Charge in Thin Gate MOS Structures
전기학회논문지
1989 .03
Silicon WAfer Process Technology
대한전자공학회 학술대회
1979 .01
直流 電壓에 의한 微小 眞空갭의 前驅放電 電界放出
조명·전기설비
1997 .04
Fowler-Nordheim 스트레스에 의한 MOS 문턱전압 이동현상을 응용한 비교기 옵셋 제거방법
전자공학회논문지-SD
2009 .03
Effect of Surface Conditions of Single Crystalline Silicon Wafer on the Fracture Behavior
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
An Emissivity-Invariant Condition of Silicon Wafers and Its Application to Radiation Thermometry
제어로봇시스템학회 국제학술대회 논문집
2009 .08
Bipolar Silicon Wafer Processing
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
Advanced Wafer-to-Wafer and Chip-to-Wafer Bonding for 3D Integration
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
The Stress Induced Leakage Currents in the Silicon Oxides for SoC
대한전자공학회 학술대회
2004 .06
투영계수법을 이용한 원자산소 Fluence 예측
한국항공우주학회 학술발표회 초록집
2008 .11
Temperature Monitoring of Silicon Wafer Surface Exposed to Plasma Discharge
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .05
12" 웨이퍼 Spin etcher용 실시간 박막두께 측정장치의 개발
한국반도체장비학회지
2003 .01
실리콘 웨이퍼 연마헤드의 강제구동 방식이 웨이퍼 연마 평탄도에 미치는 영향 연구
반도체디스플레이기술학회지
2014 .01
Polished Wafer와 Epi-Layer Wafer의 표면 처리에 따른 표면 화학적/물리적 특성
한국재료학회지
2014 .01
12인치 웨이퍼 폴리싱 장비의 구조해석 및 가공 특성에 관한 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2012 .06
A Study on the Characteristics of a Wafer-Polishing Process according to Machining Conditions
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
2009 .01
Effects of oxide layer formed on TiN coated silicon wafer on the friction characteristics
한국트라이볼로지학회 학술대회
2002 .10
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