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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 741 - 742 (2page)
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In this paper, we analyzed the process-dependent electric characteristics of Silicon-Al₂O₃-Nitride-Oxide -Silicon (SANDS) memory cell transistors. The devices were fabricated by the identical processing in a single lot except the deposition method of the charge trapping layer, nitride. The program/erase spee ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 측정 방법 및 실험
Ⅲ. 실험 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
Ⅴ. 참고 문헌
참고문헌 (0)
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