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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.4
- 수록면
- 1,296 - 1,301 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2003
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The chemical mechanical polishing(CMP) is necessarily applied to manufacturing the dielectric layer
and metal line in the semiconductor device. The conditioning of polishing pad in CMP process
additionally operates for maintaining the removal rate, within wafer non-uniformity, and wafer to wafer
non-uniformity. But the fixed abrasive pad(FAP) using the hydrophilic polymer with abrasive that has
the swelling characteristic by water owns the self-conditioning advantage as compared with the general
CMP. FAP also takes advantage of planarity, resulting from decreasing pattern selectivity and defects
such as dishing due to the reduction of abrasive concentration. This paper introduces the manufacturing
technique of FAP. And the tungsten CMP using FAP achieved the good conclusion in point of the
removal rate, non-uniformity, surface roughness, material selectivity, micro-scratch free contemporary
with the pad life-time.
and metal line in the semiconductor device. The conditioning of polishing pad in CMP process
additionally operates for maintaining the removal rate, within wafer non-uniformity, and wafer to wafer
non-uniformity. But the fixed abrasive pad(FAP) using the hydrophilic polymer with abrasive that has
the swelling characteristic by water owns the self-conditioning advantage as compared with the general
CMP. FAP also takes advantage of planarity, resulting from decreasing pattern selectivity and defects
such as dishing due to the reduction of abrasive concentration. This paper introduces the manufacturing
technique of FAP. And the tungsten CMP using FAP achieved the good conclusion in point of the
removal rate, non-uniformity, surface roughness, material selectivity, micro-scratch free contemporary
with the pad life-time.
목차
Abstract
1. 서론
2. 고정입자패드
3. 고정입자패드의 텅스텐 CMP
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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