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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제12호
발행연도
2007.1
수록면
1,027 - 1,033 (7page)

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In this research, the polishing pad for W CMP has been analyzed to understand stabilization of polishing performance. For stabilization of process, the polishing pad condition is one of important factors. The polishing pad plays a key role in polishing process, because it contact with reacted surface of wafer[1]. The physical property of pad surface is ruled by conditioning tool which makes roughness and profile of pad surface. Pad surface affects on polishing performance such as RR (Removal Rate) and uniformity in CMP. The stabilized pad surface has stable roughness. And its surface has high level of wettability which can increase the probability of abrasive adhesion on pad. The result of this research is that the reduction of break-in and dummy polishing process were achieved by artificial machining to make stable pad surface. In this research, urethane polishing pad which is named IC pad(Nitta-Haas Inc.) and has micro pore structure, is studied. Because, this type of pad is the most conventional type.
#Dressor #Conditioning #Break-In #Wettability #Zeta potential #CMP

목차

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참고문헌 (7)

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A. Scot Lawing / 2005 / “Pad conditioning and textual effect in chemical mechanical polishing", 9th CMP-MIC, Session 2 : 33 ~ google schola Huey. S. / 1999 / Thecnology breakthrough in pad pad life improvement and its impact on CMP CoC / Advanced Semiconductor Manufacturing : 54 ~ google schola N. H. Kim / 2007 / Temperature effects of pad conditioning process on oxide CMP: Polishing pad, slurry characteristics, and surface reactions / Microelectronic Engineering 83 google schola S. H. Lee / 2005 / Development of CMP pad with controlled micro features for improved performance / Semiconductor Manufacturing, IEEE International Symposium : 173 ~ google schola Tatkwan Y / 1993 / A statistical polishing pad model for chemical-mechanical polishing / Electron Device Meeting : 865 ~ google schola

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