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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제11호
발행연도
2004.11
수록면
21 - 27 (7page)

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본 논문에서는 60㎓ 무선 LAN(Wireless local area network) 응용을 위해 0.1㎛Γ-gate pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)를 이용하여 V-band용 millimeter-wave monolithic integrated circuit(MIMIC) 저 잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 본 연구에서 개발한 PHEMT의 DC 특성으로 드레인 포화 전류 밀도 (Idss)는 450 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스 (gm, max)는 363.6 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득 차단주파수 (fT)는 113 GHz, 최대 공진 주파수 (fmax)는 l80 GHz의 성능을 나타내었다. V-band MIMIC 저 잡음 증폭기의 개발을 위해 PHEMT의 비선형 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 V band MIMIC 저 잡음 증폭기를 설계하였다. 설계된 V-band MIMIC 저 잡음 증폭기는 본 연구 에서 개발된 PHEMT 기반의 MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, V- band MIMIC 저 잡음 증폭기의 측정결과, 60 GHz에서 S21이득은 21.3 dB, 입력반사계수는 -l0.6 dB 그리고 62.5 GHz에서 출력반사계수는 -29.7 dB의 특성을 나타내었다. V-band MIMIC 저 잡음 증폭기의 잡음지수 측정결과, 60 GHz에서 4.23 dB의 특성을 나타내었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 설계

Ⅲ. V-band 저잡음 증폭기의 제작과 특성분석

Ⅳ. 결론

참고문헌

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