밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs

류근관 ,  김성찬

전기전자학회논문지

2012 .06

InAlAs/InGaAs/GaAs 100 nm-게이트 MHEMT 소자의 에피 구조 최적화 설계에 관한 연구

손명식

반도체디스플레이기술학회지

2011 .01

Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향

윤형섭 ,  이진희 ,  이경호

[ETRI] 전자통신동향분석

2000 .12

100㎓ 이상의 밀리미터파 HEMT 소 제작 및 개발을 위한 GaAs기반 0.1㎛ Γ-게이트 MHEMT의 DC/RF 특성에 대한 calibration 연구

손명식 ,  이복형 ,  이진구

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

Fabrication and Characterization of 0.2μm InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT’s with Inverse Step-Graded InAlAs Buffer on GaAs Substrate

Dae-Hyun Kim ,  Sung-Won Kim ,  Seong-Chul Hong 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2001 .06

Photoresponse of InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT on GaAs substrate with Composite Channel

Chang-Soon Choi ,  Hyo-Soon Kang ,  Woo-Young Choi 외 5명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자의 항복 특성에 관한 연구

손명식

전자공학회논문지-SD

2011 .11

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

0.25㎛ T형 게이트 AIGaAs / InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 ( The Fabrication of 0.25mm T-shaped Gate AlGaAs / InGaAs P-HEMT and It`s Application to the Input-Matched 3 Stage X-Band LNA Design )

김진명 ,  전연진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

0.2 ㎛ Wide-Head T-Gate PHEMT 제작에 관한 연구

전병철 ,  윤용순 ,  박현창 외 2명

전자공학회논문지-SD

2002 .01

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Metamorphic HEMT를 이용한 100 GHz MIMIC 증폭기의 설계 및 제작

안단 ,  이복형 ,  임병옥 외 5명

전자공학회논문지-SD

2004 .09

0.25㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계

김진명 ,  전영진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

77 ㎓ Power Amplifier MMIC by 120㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT

김성원 ,  설경선 ,  김경운 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

짧은 게이트 길이를 갖는 Hemt의 해석적 모델

김성진 ,  김희종 ,  우덕하 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

35㎚ In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

김영수 ,  이강승 ,  홍윤기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2006 .11

저온에서 500 ㎓의 f_t를 가지는 In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

홍윤기 ,  최도영 ,  홍승호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2007 .07

저온에서 500 ㎓의 f_t를 가지는 In_0.52Al_0.48As/In_0.53 Ga_0.47 As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

홍윤기 ,  최도영 ,  홍승호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2007 .07