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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.9
- 수록면
- 25 - 30 (6page)
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본 논문에서는 01 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Elotron Mobility Transistor)를 이용하여 100 GHEz 대역의 MIMIC(Millumeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT의 드레인 전류 밀도는 640 mA/mm 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 653 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 fT는 173 GHz, fmax는 271 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 100 GHz MIMC 중폭기의 개발을 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MINIC 증폭기를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, 100 GHz MINIC 중폭기의 측정결과, 100 GHz에서 10 1 dB 및 97 8 GHz에서 12 74 dB의 양호한 S21 이득 특성을 나타내었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ.서론
Ⅱ.MIMIC 증폭기의 설계
Ⅲ.MIMIC 증폭기의 제작 및 측정
Ⅳ.결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (13)
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[학술지(정기간행물)] - K. W. Chang / 1993. / A W-band Single-chip Transceiver for FMCW Radar : 41 ~ 44
[학술지(정기간행물)] - Robinder S. Virk, / 1997 / A Comparison of W-band MMIC Mixers Using InP HEMT Technology : 435 ~ 438
[학술지(정기간행물)] - Yun Wei / 2002 / W-band InP/InGaAs/InP DHBT MMIC Power Amplifier : 917 ~ 920
[학술지(정기간행물)] - C. S. Whelan / Jan.2000 / Low Noise In0.32(AlGa)0.68As/In0.43Ga 0.57As Meta- morphic HEMT on GaAs substra -te with 850 mW/mm output power density 21 (1) : 5 ~ 8
[학술지(정기간행물)] - Bok-Hyung Lee / Sep.2003 / High Maximum Frqu -ency of Oscillation of 0.1 ㎛ Off-set Γ-Shaped Gate InGaAs/InAlAs/GaAs Metamor -phic HEMTs 43 (6) : 427 ~ 430
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