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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제12호
발행연도
2004.12
수록면
7 - 12 (6page)

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본 논문에서는 01㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 DC~45GHz 대역의 광대역 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 분산 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 분산 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT) 를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도 442 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스 (Gm) 는 409 mS/mm 를 얻었다. RF 특성으로 fT 논 140 GHz, fmax 는 447GHz 의 양호한 성능을 나타내었다. 광대역 MIMIC 분산 증폭기의 설계를 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이즐 이용하여 MIMIC 분산 증폭기를 설계하였다. 설계된 분산 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용하여 제작 하였으며, MIMIC 분산 증폭기의 측정결과, DC-45GHz 대역에서 6dB 이상의 521 이득을 얻었으며, 입력반사 계수는 45 GHz 에서 10 dB, 출력반사계수는 7dB 의 특성을 나타내었다 제작된 분산 증폭기의 칩 크기는 2,0 mm×12 mm 다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 광대역 MIMIC 분산 증폭기의 설계

Ⅲ. 광대역 MIMIC 증폭기의 제작 및 측정

Ⅳ. 결론

참고문헌

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