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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 전자공학회논문지 TC편 제42권 제5호
발행연도
2005.5
수록면
61 - 68 (8page)

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본 논문에서는 낮은 변환손실 특성의 94 GHz MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) resistive 믹서를 설계 및 제작하였다. MIMIC resistive 믹서는 0.1 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 설계 및 제작되었다. 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도 665 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 691 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 fT는 189 GHz, fmax는 334 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 94 GHz MIMIC 믹서의 개발을 위해 MHEMT의 비선형 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MIMIC 믹서를 설계하였다. 설계된 믹서는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용해 제작되었다. 94 GHz MIMIC resistive 믹서의 측정결과 변환손실 특성은 94 GHz에서 8.2 dB의 양호한 특성을 나타내었으며, 입력 P1 dB는 9 dBm, 출력 P1 dB는 0 dBm의 결과를 얻었다. Resistive 믹서의 LO-IF 격리도는 94.03 GHz에서 15.6 dB의 측정 결과를 얻었다. 본 논문에서 설계 및 제작된 94 GHz MIMIC resistive 믹서는 기존의 W-band 대역 resistive 믹서와 비교하여 낮은 변환손실 특성을 나타내었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 94 GHz MIMIC 믹서의 설계 및 제작

Ⅲ. 94 GHz MIMIC 믹서의 특성 측정

Ⅳ. 결론

참고문헌

저자소개

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[학술지(정기간행물)] - / 1993. / A W-band Single-chip Transceiver for FMCW Radar : 41 ~ 44 google schola [학술지(정기간행물)] - / / W-band InP/InGaAs/InP DHBT MMIC Power Amplifier : 917 ~ 920 google schola [학술지(정기간행물)] - / Jan.2000. / Low Noise In0.32 0.68As /In0.43Ga0.57As Metamorphic HEMT on GaAs substrate with 850 mW/mm output power density 21 (1) : 5 ~ 8 google schola [학술지(정기간행물)] - / Sep.2003. / High Maximum Frquency of Oscillation of 0.1 ㎛ Off-set Γ-ShapedGate InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMTs 43 (6) : 427 ~ 430 google schola [학술지(정기간행물)] - / dec.1984. / Self- consistent GaAs FET Models for Amplifier Design and Device Diagnostics 32 : 1573 ~ 1578 google schola

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