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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 태양에너지 제19권 제1호
발행연도
1999.3
수록면
29 - 36 (8page)

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ZnO/n-Si junctions were fabricated by spin coatir1g with ZnO precursor produced by the sol-gel process. In order to increase the electrical conductivity of ZnO films, the films were n-doped with AI impurity and subsequently annealed at about 450℃ under reducing environments. The ohmic contacts between n-Si and AI for a bottom electrode were successfully fabricated by doping the rear surface of Si substrate with phosphorous atoms. The front surface of the substrate was also doped with phosphorous atoms for improving the efficiency of the solar cells. Consequently, conversion efficiencies ranging up to about 5.3% were obtained. These efficiencies were found to decrease slowly with time because of the oxide films formed at the ZnO/Si interface upon oxygen penetration through the porous ZnO. Oxygen barrier layers could be necessary il order to prevent the reduction of conversion efficiencies.

목차

ABSTRACT

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사

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