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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.10
- 수록면
- 53 - 54 (2page)
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Arsenic doped p-type ZnO thin films have been realized on intrinsic (100) GaAs substrate by RF magnetron sputtering and thermal annealing treatment. p-Type ZnO exhibits the hole concentration of 9.684×10¹? ㎝?³, resistivity of 2.54×10?³ Ω㎝, and mobility of 25.37 ㎠/Vs. Photoluminescence (PL) spectra of As doped n-type ZnO thin films reveal neutral acceptor bound exciton (A?X) of 3.3437 eV and a transition between free electrons and acceptor levels (FA) of 3.2924 eV. Calculated acceptor binding energy (E<SUB>A</SU ... 전체 초록 보기
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