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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.11
- 수록면
- 2,385 - 2,390 (6page)
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본 연구에서는 C-축 우선 배향 특성을 가지는 N-doped ZnO 박막을 증착하고 그 미세구조의 특성을 분석 비교하였다. ZnO박막은 N₂O 가스 분위기에서 RF reactive magnetron sputtering 시스템을 사용하여 p-Si(100) 웨이퍼 위에 증착되었다. N₂O 가스는 N doping source로 사용되었으며, 전체 가스 유량에 대한 N₂O 가스의 비율 N₂O/(N₂O+Ar)과 증착 전력을 증착의 주요 공정 변수로 선택하여 다양한 가스 비율과 증착 전력에 대한 박막의 미세 구조 특성을 비교 분석하였다. 특히, Auger electron spectroscopy (AES)를 이용하여 ZnO 박막 내에 들어가 존재하는 불순물 N의 수직분포를 분석하였고, 여러 가지 증착 조건에서 제작된 ZnO 박막의 표면형상 및 미세구조 특성을 Scanning Electron Microscope (SEM)를 이용하여 분석하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Park C. H / 2002 / Origin of p-type doping difficulty in ZnO : The impurity perspective / Phys. Rev. B 66 : 073202 ~
2. [학술지(정기간행물)] - J.G. Lu / 2005 / p-type ZnO films by codoping of nitrogen and aluminum and ZnO-based p-n homojunctions / J. Cryst. Growth 283 : 413 ~ 417
3. [학술지(정기간행물)] - Xin-Li Guo / 2002 / Epitaxial growth and optoelectronic properties of nitrogen doped ZnO films on (1120) Al2O3 substrate / J. Cryst. Growth : 237 ~ 547
4. [학술지(정기간행물)] - W. Walukiewicz / 1994 / Defect formation and diffusion in heavily doped semiconductors / Phys. Rev. B 50 : 5221 ~
5. [학술지(정기간행물)] - C. G. Van de Walle / 1993 / First-principles calculations of solubilities and doping limits: Li, Na, and N in ZnSe / Phys. Rev. B 47 : 9425 ~
2. [학술지(정기간행물)] - J.G. Lu / 2005 / p-type ZnO films by codoping of nitrogen and aluminum and ZnO-based p-n homojunctions / J. Cryst. Growth 283 : 413 ~ 417
3. [학술지(정기간행물)] - Xin-Li Guo / 2002 / Epitaxial growth and optoelectronic properties of nitrogen doped ZnO films on (1120) Al2O3 substrate / J. Cryst. Growth : 237 ~ 547
4. [학술지(정기간행물)] - W. Walukiewicz / 1994 / Defect formation and diffusion in heavily doped semiconductors / Phys. Rev. B 50 : 5221 ~
5. [학술지(정기간행물)] - C. G. Van de Walle / 1993 / First-principles calculations of solubilities and doping limits: Li, Na, and N in ZnSe / Phys. Rev. B 47 : 9425 ~
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