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The substrate temperature is an important parameter in thin film deposition process. Structure, surface morphology and optical properties of CIGS thin films deposited at various substrate temperatures have been investigated using a number of analysis techniques. X-ray diffraction (XRD) analysis shows that CIGS films exhibit a strong <112> preferred orientation. Increasing the substrate temperatures, the films displayed a higher degree of crystallinity. The <112> peak was enhanced and other CIGS peaks appeared simultaneously. The Raman spectra of CIGS thin films show only the A1 mode peak. The intensity of this peak was enhanced at higher deposition temperatures. Scanning electron microscopy (SEM) results revealed very small grains in films fabricated at 480℃ substrate temperature. When the substrate temperature was increased, the average grain size increased together with a reduction in the number and size of the voids.

목차

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고 문헌

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