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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2007.5
수록면
1,523 - 1,528 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2017

포논 기체 운동론을 이용한 실리콘 내 포논 평균자유행로 스펙트럼 열전도율 기여도 예측
진재식 대한기계학회 논문집 B권 2017.05 학술저널

2008

도핑 된 박막 실리콘 내 포논과 전자의 열전도 기여도에 대한 수치적 예측
진재식 ,  이준식 대한기계학회 춘추학술대회 2008.05 학술대회자료

2007

박막 실리콘 내 도핑 농도 변화에 따른 포논과 전자의 열전도율 기여도에 대한 수치해석
진재식 ,  이준식 대한기계학회 춘추학술대회 2007.05 학술대회자료

초록· 키워드

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The relative contributions of phonon and electron to the thermal conductivity of silicon film with varying doping density are evaluated from the modified electron-phonon interaction model, which is applicable to the micro/nanoscale simulation of energy transport between energy carriers. The thermal conductivities of intrinsic silicon layer thicknesses from 20 ㎚ to 500 ㎚ are calculated and extended to the variation in n-type doping densities from 1.0 × 10¹? to 5.0 × 10²? ㎝?³, which agree well with the experimental data and theoretical model. From simulation results, the phonon and electron contributions to thermal conductivity are extracted. The electron contribution in the silicon is found to be not negligible above 10¹? ㎝?³, which can be classified as semimetal or metal by the value of its electrical resistivity at room temperature. The thermal conductivity due to electron is about 57.2% of the total thermal conductivity at doping concentration 5.0 × 10²? ㎝?³ and silicon film thickness 100 ㎚.
#Thermal conductivity contribution(열전도율 기여도) #Doping density(도핑 농도) #Thin film silicon(박막 실리콘) #BTE(볼츠만 수송방정식)

목차

Abstract
1. 서론
2. 수정된 전자-포논 상호작용 모델
3. 수치해석 결과
4. 결론
후기
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