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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
진재식 (서울대학교) 이준식
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2008년도 마이크로/나노공학부문 춘계학술대회 강연 및 논문집
발행연도
2008.5
수록면
39 - 44 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2017

포논 기체 운동론을 이용한 실리콘 내 포논 평균자유행로 스펙트럼 열전도율 기여도 예측
진재식 대한기계학회 논문집 B권 2017.05 학술저널

2008

도핑 된 박막 실리콘 내 포논과 전자의 열전도 기여도에 대한 수치적 예측
진재식 ,  이준식 대한기계학회 춘추학술대회 2008.05 학술대회자료

2007

박막 실리콘 내 도핑 농도 변화에 따른 포논과 전자의 열전도율 기여도에 대한 수치해석
진재식 ,  이준식 대한기계학회 춘추학술대회 2007.05 학술대회자료

초록· 키워드

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The modified electron-phonon interaction model is proposed, and the relative contributions of phonons and electrons to the thermal conduction in doped silicon films are investigated. The carrier contributions in sub-micro scale heat conduction are validated by an order of magnitude analysis and comparison with previous data. The simulation results show that the electron contribution in Si-layer is not negligible when the doping concentration is higher than 10¹? ㎝?³, which can be classified as semimetal or metal by the value of its electrical resistivity at 300 K. The electron thermal conductivity increases with increasing doping density, and its fraction is about 57.2% of the total thermal conductivity when the doping concentration is 5.0 × 10²? ㎝?³ and silicon film thickness 100 ㎚.
#Electron-phonon interaction(전자-포논 상호작용) #Thermal conductivity(열전도율) #Silicon film(실리콘 박막) #Boltzmann transport equation(볼츠만 수송방정식)

목차

Abstract
1. 서론
2. 수정된 전자-포논 상호작용 모델
3. 수치해석 결과
4. 결론
후기
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진재식 ,  이현진 ,  이봉재 대한기계학회 춘추학술대회 2012 .05
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진재식 ,  이준식 대한기계학회 춘추학술대회 2007 .05

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