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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 ICEIC 2017 International Conference on Electronics, Information, and Communication
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 653 - 656 (4page)
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This report covers the resistive switching characteristics of new concept HfO₂-based resistive switching memory (ReRAM) device via quantum tunneling phenomenon. In this memory cell, the nonlinear bipolar resistive switching characteristics, i.e., asymmetric current-voltage curve like Schottky diode were observed. In addition, the device exhibits the forming free resistive switching behaviors from quantum tunneling process, which makes it possible to switch the resistance state under ultra-low current levels of <10 nA. Consequently, these results indicate that the quantum tunneling based resistive switching properties in memory structures having Schottky junction warrant the realization of selector-free ReRAM cells in the high density crossbar array.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References
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