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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 487 - 488 (2page)
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SiOC films containing alkyl groups have a low dielectric constant because of the interaction between the C-H hydrogen bonds and the oxygen of high electro-negative atom. The Si-CH₃ in a void is broken by the O₂, therefore the strength of CH bond in Si-O-O-CH₃ bond increases. The Si-O-O-CH₃ bond is broken by nucleophilic attack due to Si atom, again. The elongation of C-H bond causes the red shift, and the compression of C-H bond ca ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiment
3. Result and Discussion
4. Conclusion
References
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