Chemical structure evolution of low dielectric constant SiOCH films during plasma enhanced plasma chemical vapor deposition and post-annealing procedures

Xu, Jun; Choi, Chi-Kyu

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Xu, Jun (Dept. of Physics, Cheju National University) Choi, Chi-Kyu (Dept. of Physics, Cheju National University)

저널정보: 한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집

발행연도: 2002.1

수록면: 34 - 46 (13page)

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Si-O-C-H films with a low dielectric constant were deposited on a p-type Si(100) substrate using a mixture gases of the bis-trimethylsilyl-methane (BTMSM) and oxygen by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCYD). High density plasma of about $~10^{12}\textrm{cm}^{-3}$ is obtained at low pressure (<400 mTorr) with rf power of about 300W in ICPCVD where the BTMSM and $O_2$ gases are fully dissociated. Fourier transform infrared (FTIR) spectra and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra show that the film has $Si-CH_3$ and OH-related bonds. The void within films is formed due to $Si-CH_3$ and OH-related bonds after annealing at $500^{\circ}C$ for the as-deposition samples. The lowest relative dielectric constant of annealed film at $500^{\circ}C$ is about 2.1.

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Xu, Jun

소속기관 Dept. of Physics, Cheju National University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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Choi, Chi-Kyu

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