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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.11
- 수록면
- 4,468 - 4,472 (5page)
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ICP-CVD 방법에 의해 제작된 SiOC 박막을 유전상수와 화학적 이동의 상관성에 대하여 조사하였다. SiOC 박막은 플라즈마 에너지에 의해서 해리작용과 재결합작용에 의해서 cross link 구조를 갖게 되는 Si-O 와 C-O 결합으 로 구성된 930~1230 cm-1 영역에서 혼합된 Si-O-C 주 결합으로 이루어졌다. C-O 결합은 1270cm-1에서 보여지는 Si-CH3 결합의 말단부분인 C-H 결합이 전기음성도가 큰 산소에 의해서 끌리는 효과로부터 만들어진 결합이다. 그러 나 Si-O 결합은 Si-CH3 결합이 분해되고 난뒤 2차 이온결합에 의해서 만들어진 결합이다. Si-O 결합의 증가는 주결합 에서 오른쪽 결합이 증가하기 때문이며, FTIR 스펙트라에 의해서 red shift로 나타났다. 이러한 결과는 SiOC 박막이 보다 더 안정되고 강한 박막임을 의미한다. 그래서 SiOC 박막은 열처리 후 비정질도가 높고 거칠기가 감소되는 것을 확인하였다.
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1. [학술지(정기간행물)] - Y. L. Hsu / 2007 / / Jpn. J. Appl. Phys 46 : 530 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Z. Q. Fang / 2007 / / Journal of Electronic Materials 36 : 307 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Min Seung Lee / 2006 / Electrical Charging Property of Au Nano-Particles in a SiON Dielectric Layer / Journal of the Korean Physical Society 48 (6) : 1552 ~ 1555
4. [학술지(정기간행물)] - P. de Rouffignac / 2004 / / Electrochemical and Solid State Letters 7 : 360 ~
5. [학술지(정기간행물)] - P. Jakob, / 1998 / / Journal of Chemical Physics 109 : 8641 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Z. Q. Fang / 2007 / / Journal of Electronic Materials 36 : 307 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Min Seung Lee / 2006 / Electrical Charging Property of Au Nano-Particles in a SiON Dielectric Layer / Journal of the Korean Physical Society 48 (6) : 1552 ~ 1555
4. [학술지(정기간행물)] - P. de Rouffignac / 2004 / / Electrochemical and Solid State Letters 7 : 360 ~
5. [학술지(정기간행물)] - P. Jakob, / 1998 / / Journal of Chemical Physics 109 : 8641 ~
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