LOW TEMPERATURE DEPOSITION OFSIO_x FILMS BY PLASMA-ENHANCED CVD USING 100 ㎑ GENERATOR

Nobuyuki Kakinoki ,  Takenobu Suzuki ,  Osamu Takai

한국표면공학회지

1996 .12

DC Plasma CVD 법에 의한 다이아몬드의 성장에 관한 연구

이상현 ,  예길촌 ,  백운승 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1993 .11

Plasma-Induced Subsurface Reactions in Plasma CVD Process

Hi ,  oshi Fujiyama ,  Masano 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

CVD 기술동향

송주호

전자공학회지

2001 .08

Control of plasma CVD films containing group IV nanoparticles

Masaha ,  u Shi ,  atani 외 8명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Remote Plasma Enhanced CVD에 의한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 제작 및 특성 연구 ( Fabrication and Characterization of a-Si : H Films by a Remote Plasma Enhanced CVD )

양영식 ,  윤여진 ,  장진

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

RP-CVD에 의한 비정질 실리콘 박막의 특성 ( Characterization of a-Si : H films deposited by a remote plasma CVD )

황정태 ,  정창영 ,  정관수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

Microwave Plasma CVD로 제조한 다이아몬드 박막의Morphology에 관한 연구

박영수 ,  김성훈 ,  이조원

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

LOW TEMPERATURE DIAMOND GROWTH USING MICROWAVE PLASMA CVD

Yukihi ,  o SAKAMOTO ,  Matsufumi TAKAYA 외 1명

한국표면공학회지

1996 .10

Plasma CVD 에 의한 DLC 박막 제작시 수소가스의 영향

문양식 ,  이재성 ,  이해승 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07

Effects of Source Gas for Preparation of Carbon Nitride Using Microwave Plasma CVD

Masatoshi Inoue ,  Yukihi ,  o Sakamoto 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

RF플라즈마 CVD법에 의한 Diamond합성

박상현 ,  이덕출

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .07

고주파플라즈마 CVD법에 의한 다이아몬드상 탄소박막의 합성

朴相鉉 ,  李德出

전기학회논문지

1990 .10

고주파 플라즈마 CVD에 의한 저 압력에서의 다이아몬드 막의 성장

具孝根 ,  朴相鉉 ,  朴在潤 외 1명

전기학회논문지 C

2001 .02

Laser Crystallization of a-Si:H films prepared at Ultra Low Temperature( $ < 150^{\circ}C$) by Catalytic CVD

Lee ,  Sung-Hyun ,  Hong 외 20명

한국정보디스플레이학회 International Meeting

2005 .01

플라즈마 CVD를 이용한 탄소나노튜브의 성장

방윤영 ,  장원석

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2005 .06

플라즈마 처리에 따른 CVD 그래핀의 전하 농도 및 이동도 변화에 관한 연구

최민섭 ,  문인용 ,  임영대 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2012 .05

FE Properties of Carbon Nitride Prepared by Microwave Plasma CVD

Shunichi ,  o Komizo ,  Yukihi 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06