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저자정보
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2008년도 추계학술대회
발행연도
2008.11
수록면
1,295 - 1,300 (6page)

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During the manufacturing and the service life of Au?Al wire bonded electronic packages, the ball bonds experience elevated temperatures and hence accelerated thermal diffusion reactions that promote the transformation of the Au?Al phases and the IMC growth. In this paper, the IC under high temperature storage (HTS) tests at 175℃, 200℃, and 250℃ are meticulously investigated. Thermal exposure resulted in the IMC growth, Kirkendall void and the crack of the Au?Al phases. The crack propagation occurs resulting in the failure of the Au?Al ball bonds. As the IC was exposed at the high temperature, decreased in the lifetime.

목차

Abstract
1. 서론
2. IMC 형성 메커니즘
3. IMC 성장 가속 시험
4. 결론
참고문헌

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