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low-k 유전상수를 갖는 층간 절연막 (ILD)을 BTMSM 프리커서를 이용하여 24sccm에 32sccm까지 2sccm씩 증가시키며 PECVD 방식으로 증착하였다. 상온에서 증착된 SiOCH 박막을 400℃와 500℃에서 30분 동안 진공 중에서 열처리하였다. FTIR 분석 결과, BTMSM 유량이 증가할수록 SiOCH 박막의 탄소 함유량이 29.5%에서 32.2%로 증가하였으며, 500℃에서 열처리한 26sccm 샘플은 32.8% 증가하였다. 1㎒에서 측정한 유전상수는 26sccm 샘플에서 2.32로 가장 낮았고, 500℃에서 열처리 후 2.05로 감소하였다. 누설전류 또한 26sccm 샘플에서 8.7× 10?? A/㎠로 가장 낮았다. BTMSM 유량이 26sccm인 SiOCH 박막에서 화학적 결합의 Shift 현상이 나타났고, 탐소함유량은 가장 높았으며 유전상수 또한 가장 낮은 값을 갖았다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

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