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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제1호
발행연도
2009.1
수록면
47 - 52 (6page)

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We studied the electrical characteristics of low-k SiOCH interlayer dielectric(ILD) films fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). BTMSM precursor was evaporated and introduced with the flow rates from 16 sccm to 25 sccm by 1 sccm step with the constant flow rate of 60 sccm O₂in process chamber. The vibrational groups of SiOCH thin films were analyzed by FT/IR absorption lines, and the dielectric constant of the low-k SiOCH thin films were obtained by measuring C-V characteristic curves. The heat treatment on SiOCH thin films reduced the FTIR absorption intensity of the Si-O-CH₃bonding group and Si-CH₃ bonding group but increased the intensity of Si-O-Si(C) bonding group. The SiOCH ILD films could have low dielectric constant k ≃ 2 and also be reduced further by decreasing the CH₃ group density and increasing Si-O-Si(C) group density through annealing process.

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