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자료유형
학술저널
저자정보
김종욱 (청주대학교 전자공학과) 박인철 ([주]퓨쳐하이테크) 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제8권 제3호
발행연도
2009.1
수록면
19 - 23 (5page)

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2009

열처리한 SiOCH 박막의 기공형성에 의한 유전특성
김종욱 ,  박인철 ,  김홍배 Proceedings of KIIT Conference 2009.06 학술대회자료
기공형성에 의한 SiOCH 박막의 유전 특성
김종욱 ,  박인철 ,  김홍배 반도체및디스플레이장비학회지 2009.01 학술저널
열처리한 SiOCH 박막의 결합모드와 유전상수 특성
김종욱 ,  황창수 ,  박용헌 외 1명 전기전자재료학회논문지 2009.01 학술저널

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We have studied dielectric characteristics of low-k interlayer dielectric materials was fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). BTMSM precursor was introduced with the flow rates from 24 sccm to 32 sccm by 2 sccm step in the constant flow rate of 60 sccm $O_2$. Then, SiOCH thin film deposited at room temperature was annealed at temperature of $400^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$ for 30 minutes in vacuum. The vibrational groups of SiOCH thin films were analyzed by FT/IR absorption lines, and the dielectric constant of the low-k SiOCH thin films were obtained by measuring C-V characteristic curves. With the result that FTIR analysis, as BTMSM flow rate increase, relative carbon content of SiOCH thin film increased from 29.5% to 32.2%, and increased by 32.8% in 26 sccm specimen after $500^{\circ}C$ annealing. Dielectric constant was lowest by 2.32 in 26 sccm specimen, and decreased more by 2.05 after $500^{\circ}C$ annealing. Also, leakage current is lowest by $8.7{\times}10^{-9}A/cm^2$ in this specimen. In the result, shift phenomenon of chemical bond appeared in SiOCH thin film that BTMSM flow rate is deposited by 26 sccms, and relative carbon content was highest in this specimen and dielectric constant also was lowest value
#low-k #SiCOH #PECVD #BTMSM #ILD #FTIR #Interlayer Dielectric

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