Gallium Nitride 기판의 Mechanical Polishing 시 Diamond Powder의 Size에 따른 표면 Morphology의 변화

김경준; 장학진; 신현민; 정해도

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저자정보: 김경준 (삼성코닝정밀유리) 장학진 (삼성코닝정밀유리) 신현민 (삼성코닝정밀유리) 정해도

저널정보: 대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2008년도 생산 및 설계공학부문 춘계학술대회 논문집

발행연도: 2008.6

수록면: 5 - 8 (4page)

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2008

Gallium Nitride 기판의 Mechanical Polishing시 다이아몬드 입자 크기에 따른 표면 Morphology의 변화

김경준 , 정진석 , 장학진 외 2명 Journal of the Korean Society for Precision Engineering 2008.09 학술저널

Gallium Nitride 기판의 Mechanical Polishing 시 Diamond Powder의 Size에 따른 표면 Morphology의 변화

김경준 , 장학진 , 신현민 외 1명 대한기계학회 춘추학술대회 2008.06 학술대회자료

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Freestanding hydride vapor phase epitaxy grown GaN substrates subjected to various polishing methods were characterized for their surface and subsurface conditions. Although chemical mechanical polishing(CMP) is one of the best approaches for reducing scratches and subsurface damages, the removal rate of Ga-polar surface in CMP is insignificant(0.1~0.3 ㎛/hr) as compared with that of N-polar surface. Therefore, conventional mechanical polishing (MP) is commonly used in the GaN substrate fabrication process.
Mechanical polishing of (0001) surface of GaN has been demonstrated using different types of diamond slurry of diamond powders of different size. Diamond powders of size ranging from 30㎚ to 100㎚ were dispersed in ethylene glycol solutions and mineral oil solutions, respectively. Significant change in the surface roughness (RMS 0.1㎚) and scratch-free surface were obtained for the slurry of diamond powder of 30㎚ in mean particle size dispersed in mineral oil solutions. However, MP process introduced subsurface damages confirmed by TEM (Transmission Electronic Microscope) and PL(Photoluminescence) analysis.

#GaN(Gallium Nitride, 질화갈륨) #Mechanical Polishing(기계적 연마) #Scratch(스크래치) #Subsurface damage(결함층) #Diamond slurry(다이아몬드 슬러리)

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