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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.12
- 수록면
- 80 - 86 (7page)
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전하펌프의 성능은 공급전압에 의해 크게 영향을 받는다. 본 논문에서는 표준 twin-well CMOS 로직 공정으로 제작 가능하며, 낮은 공급전압에서도 높은 효율을 갖는 새로운 전하펌프 회로를 제안하고 검증하였다. 제안한 전하펌프는 이중의 전하 전달 경로와 간단한 2-phase 클락을 사용한다. 한 주기의 펌핑 사이클 동안 각 펌핑 단에서 입력전압을 2배로 승압하며, 상보적으로 연결된 PMOS 트랜지스터를 전달 스위치로 사용하여 트랜지스터의 문턱전압에 의한 전압강하 없이 승압된 전압을 다음 승압 단으로 전달한다. 시뮬레이션과 측정을 통해 제안한 전하펌프를 검증하였으며, 동일한 공정조건에서 제작 가능한 기존 전하펌프들 보다 높은 출력전압과 큰 전류 구동능력 그리고 더 높은 전력효율을 가진다는 것을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Proposed Charge Pump
Ⅲ. Performance Evaluation
Ⅳ. Conclusion
References
저자소개
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - S. Kobayashi / 1995 / A 3.3V-only 16 Mb DINOR flash memory / in Proc. of IEEE International Solid-Stage Circuits Conf. : 122 ~ 123
2. [학술지(정기간행물)] - J. Lee / 2002 / High-performance 1-Gb NAND flash memory with 0.12-µm technology / IEEE Journal of Solid-State Circuits 37 (11) : 1502 ~ 1509
3. [학술지(정기간행물)] - T. B. Cho / 1995 / A 10 b, 20 Msample/s, 35 mW pipeline A/D converter / IEEE Journal of Solid-State Circuits 30 (3) : 166 ~ 172
4. [학술지(정기간행물)] - T. A. F. Duisters / 1998 / A -90-dB THD rail-to-rail input Opamp using a new local charge pump in CMOS / Journal of Solid-State Circuits 33 (7) : 947 ~ 955
5. [학술지(정기간행물)] - J. F. Dickson / 1976 / On-chip high-voltage generation in MNOS integrated circuits using an improved voltage multiplier technique / IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-11 (3) : 374 ~ 378
2. [학술지(정기간행물)] - J. Lee / 2002 / High-performance 1-Gb NAND flash memory with 0.12-µm technology / IEEE Journal of Solid-State Circuits 37 (11) : 1502 ~ 1509
3. [학술지(정기간행물)] - T. B. Cho / 1995 / A 10 b, 20 Msample/s, 35 mW pipeline A/D converter / IEEE Journal of Solid-State Circuits 30 (3) : 166 ~ 172
4. [학술지(정기간행물)] - T. A. F. Duisters / 1998 / A -90-dB THD rail-to-rail input Opamp using a new local charge pump in CMOS / Journal of Solid-State Circuits 33 (7) : 947 ~ 955
5. [학술지(정기간행물)] - J. F. Dickson / 1976 / On-chip high-voltage generation in MNOS integrated circuits using an improved voltage multiplier technique / IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-11 (3) : 374 ~ 378
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