ICP-CVD로 성장된 SiC 박막위에 다양한 금속으로 제작된 Schottky diode의 특성 분석

고석일 ,  김용상

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .11

ICP-CVD로 성장된 SiC박막의 Ni 금속 접합과 Ni/SiC Schottky diode의 특성 분석

길태현 ,  김용상

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .11

Characterizations of i-a-Si:H and p-a-SiC:H Film using ICP-CVD Method to the Fabrication of Large-area Heterojunction Silicon Solar Cells

Chaehwan Jeong ,  Minsung Jeon ,  Koichi Kamisako

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2008 .01

Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown by ICP-CVD

Tae-Hyun Gil ,  Han-Soo Kim ,  Yong-Sang Kim

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2004 .06

증착변수가 SiC 화학증착에 미치는 영향

소명기 ,  남인탁

산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소

1984 .01

SiC 에피 박막 성장기술

서한석 ,  방욱

조명·전기설비

2016 .03

SiC/SiC 복합재료의 제조 및 특성

이상필 ,  이진경 ,  손인수

대한기계학회 춘추학술대회

2012 .02

SiC 단체와 SiC/SiC 복합재료의 충격파괴거동

서민수 ,  서창민

대한기계학회 춘추학술대회

2012 .02

반응소결 SiC 재료와 SiC_f/SiC 복합재료의 특성

진준옥(Joon-Ok Jin) ,  이상필 ,  이진경 외 3명

대한기계학회 춘추학술대회

2003 .04

극저온(150℃)에서 ICP-CVD로 증착한 Nanocrystalline-Si 박막

박상근 ,  한상면 ,  신광섭 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .11

용융함침법에 의한 반응소결 SiC/SiC 복합재료의 특성 평가

이상필 ,  신윤석 ,  A. Kohyama

대한기계학회 논문집 A권

2007 .02

고온가압소결한 SiCf/SiC 복합체에서 보호층으로써의 SiC 층이 기계적 물성에 미치는 영향

정명훈 ,  김대종 ,  김원주 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

2012 .01

세라믹(SiC) 소재의 연삭가공 특성 분석

박휘근 ,  박상현 ,  박인승 외 4명

한국기계가공학회지

2018 .02

ICP-CVD 방법을 이용한 탄소나노튜브의 제작 및 물성분석

장석모 ,  김영도 ,  박창균 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .07

SiC/SiC 복합재료의 균열진전에 따르는 탄성파 특성

김진욱 ,  서임술 ,  남기우

대한기계학회 춘추학술대회

2009 .05

The Frequency Characteristics of Elastic Wave by Crack Propagation of SiC/SiC Composites

J.W. Kim ,  K.W. Nam

한국소음진동공학회 학술대회논문집

2012 .10

플라즈마 화학증착법에 의한 $\mu$C-SiC:H 박막의 성장

김현철 ,  이재신

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

화학기상증착조건이 SiC/C계 FGM증착에 미치는 영향 : I. SiC/C 증착에 관한 연구

강병윤 ,  김유택 ,  오근호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01