Characterizations of i-a-Si:H and p-a-SiC:H Film using ICP-CVD Method to the Fabrication of Large-area Heterojunction Silicon Solar Cells

Chaehwan Jeong; Minsung Jeon; Koichi Kamisako

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자료유형: 학술저널

저자정보: Chaehwan Jeong Minsung Jeon Koichi Kamisako

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제2호

발행연도: 2008.1

수록면: 73 - 78 (6page)

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We investigated for comparison of large-area i-a-Si:H and p-a-SiC:H film quality like thickness uniformity, optical bandgap and surface roughness using both ICP-CVD and PECVD on the large-area substrate(diameter of 100 mm). As a whole, films using ICP-CVD could be achieved much uniform thickness and bandgap of that using PECVD. For i-a-Si:H films, its uniformity of thickness and optical bandgap were 2.8 % and 0.38 %, respectively. Also, thickness and optical bandgap of p-a-SiC:H films using ICP-CVD could be obtained at 1.8 % and 0.3 %, respectively. In case of surface roughness, average surface roughness (below 5 nm) of ICP-CVD film could be much better than that (below 30 nm) of PECVD film. HIT solar cell with 2 wt%-AZO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/c-Si/Ag structure was fabricated and characterized with diameter of 152.3 mm in this large-area ICP-CVD system. Conversion efficiency of 9.123 % was achieved with a practical area of 100 mm ´ 100 mm, which can show the potential to fabrication of the large-area solar cell using ICP- CVD method.

#Solar cell #Large-area #Heterojunction #Silicon #ICP-CVD

참고문헌 (12)

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C. Jeong / 2007 / Characterization of intrinsic a-Si:H films prepared by ICP-CVD for solar cell applications / J. Nanoscie. & Nanotechnol 7 (11) : 4169 ~

C. Jeong / 2007 / Characterization of p type a-SiC:H/c-Si heterojunction solar cell with the intrinsic a-Si:H buffer layers prepared by ICP-CVD / Proc. of the 22nd European photovo

C. Jeong / 2007 / Investigation on efficiency of heterojunction solar cells by thickness variation of p-type a-SiC:H films prepared by ICP-CVD / Proc. of the 22nd European photovol

Chaehwan Jeong / 2008 / Electrical Properties of Boron and Phosphorus Doped μc-Si:H Films using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition Method for Solar Cell A

G.E. Jellison, Jr. / 2000 / Characterization of thin-film amorphous semiconductors using spectroscopic ellipsometry / Thin Solid Films 377-378 : 68 ~

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