전력용 MOSFET의 특성 및 기술동향

배진용; 김용

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자료유형: 학술저널

저자정보: 배진용 (특허청) 김용 (동국대학교)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제58권 제7호

발행연도: 2009.7

수록면: 1,363 - 1,374 (12page)

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This paper reviews the characteristics and technical trends in Power MOSFET technology that are leading to improvements in power loss for power electronic system. The silicon bipolar power transistor has been displaced by silicon power MOSFET’s in low and high voltage system. The power electronic technology requires the marriage of power device technology with MOS-gated device and bipolar analog circuits. The technology challenges involved in combining power handling capability with finger gate, trench array, super junction structure, and SiC transistor are described, together with examples of solutions for telecommunications, motor control, and switch mode power supplies.

#Power MOSFET #Switching Characteristic #Finger Gate #Trench Array #Super Junction Structure #SiCTransistor

참고문헌 (39)

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1. [학술대회논문] - Praveen K. Jain / 2004 / Power electronics for low voltage semiconductor technology: challenges and some possible solutions / IPEMC 2004, 4th International : 23 ~ 24

2. [단행본] - / / 2001 International Technology Roadmap for Semiconductor(ITRS) 2001 Edition

3. [학술지(정기간행물)] - Allan Allan / 2002 / 2001 technology roadmap for semiconductors / 2002 IEEE 35 : 42 ~ 53

4. [기타자료] - / 2007 / 조선일보,중앙일보 2007년 3월 1일 기사, “60나노급 1기 가 D램 삼성, 세계최초로 양산” 2007.03.01

5. [기타자료] - / 2009 / 조선일보,중앙일보 2008년 9월 29일 기사, “삼성전자, 50나노급 DDR3 최초 양산 ‘세대교체 돌입’” 2009.09.29

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