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배진용 (특허청) 김용 (동국대학교) 이은영 (대림대학) 이규훈 (스마트비젼텍) 이동현 (동국대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2009 대한전기학회 전기기기 및 에너지변환시스템부문회 춘계학술대회 논문집
발행연도
2009.4
수록면
125 - 130 (6page)

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This paper reviews the characteristics technical trends in Power MOSFET technology that are leading to improvements in power loss for power electronic system. The power electronic technology requires the marriage of power device technology with MOS-gated device and bipolar analog circuits. The technology challenges involved in combining power handling capability with finger gate, trench array, super junction structure, and SiC transistor are described, together with examples of solutions for telecommunications, motor control, and switch mode power supplies.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]

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