Electrical characteristics of SiC thin film charge trap memory with barrier engineered tunnel layer

Dong Seok Han ,  Dong Uk Lee ,  Hyo Jun Lee 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Improved Erasing Characteristics of Tunnel Barrier Engineered Charge Trap Flash Memory with HfO₂ Charge Trap Layer

김관수 ,  정명호 ,  박군호 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Staggered Tunnel Barrier engineered Memory

손정우 ,  박군호 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Effect of heat treatment on HfO₂ charge trapping layer for engineered tunnel barrier non-volatile memory

박군호 ,  김관수 ,  정명호 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Effect of low temperature microwave irradiation on tunnel layer of charge trap flash memory cell

홍은기 ,  김소연 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .02

Thermal Treatment Effects of Staggered Tunnel Barrier(Si3N4/Ta2O5) for Non Volatile Memory Applications

이동현 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2012 .02

Programming/Erasing Characteristics of HfO2 Charge Trap Flash Memory with SiO₂/ZrO₂ as Engineered Tunnel Barrier

유희욱 ,  김관수 ,  정명호 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Investigation of stacked tunnel barrier with high-k materials for application to non-volatile memory devices

김민수 ,  김관수 ,  유희욱 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Improvement of Charge Trap Density Characteristics by Controlling Trapping Layer Gas Ratio in a-ITZO Non-Volatile Memory Devices

김태용 ,  김지웅 ,  이준신

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .08

Thickness dependence of electrical properties in charge trap flash (CTF) memory with HfO₂ trap and Al₂O₃ blacking layer

오세만 ,  유희욱 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .08

Temperature Dependency of Tunnel Barrier Enginnered (TBE) Charge Trap Flash (CTF) Memory

오세만 ,  박군호 ,  오준석 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Heat treatment effect of high-k HfO2 for tunnel barrier memory application

황영현 ,  유희욱 ,  김민수 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Effect of barrier materials on the properties of magnetic tunnel junctions

박병국 ,  임우창 ,  배지영 외 1명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2002 .12

차세대 비휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered Tunnel Barrier (Si3N4/ZrO2, Si3N4/HfAlO)에 대한전기적 특성 평가

이동현 ,  정홍배 ,  이영희 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2011 .08

Direct observation of charge trap density and its spatial distribution in a four-bit/cell SONOS memory using a charge pumping method

Y. J. Zhang ,  H. M. An ,  Y. J. Seo 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

A Theoretical Study of an Amorphous Aluminium Oxide Layer Used as a Tunnel Barrier in a Magnetic Tunnel Junction

Eun Sun Noh ,  Se ,  gio E. Ulloa 외 1명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2007 .05

Energy barrier of composite free layer for magnetic tunnel junction

Soo-Man Seo ,  Kyung-Jin Lee

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2011 .12

Nonvolatile charge trap memory device with In-Ga-Zn-O active channel layer using Microwave Irradiation

이기용 ,  박경란 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2015 .02

Characteristics of an asymmetric double barrier device using charging effects for nonvolatile memory application

Seung-gon Song ,  Kyongmin Kim ,  Kyunho Jung 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2017 .08

Characteristics of magnetic tunnel junctions with amorphous CoFeSiB free layer by function of the oxidation time in the tunnel barrier

황재연 ,  이장로 ,  전병선 외 3명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2004 .12