Improved Erasing Characteristics of Tunnel Barrier Engineered Charge Trap Flash Memory with HfO₂ Charge Trap Layer

김관수 ,  정명호 ,  박군호 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Annealing effect of Engineered Tunnel Barrier with Asymmetrical SiO2/ZrO2 stacks

유희욱 ,  김관수 ,  정명호 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Heat treatment effect of high-k HfO2 for tunnel barrier memory application

황영현 ,  유희욱 ,  김민수 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Thickness dependence of electrical properties in charge trap flash (CTF) memory with HfO₂ trap and Al₂O₃ blacking layer

오세만 ,  유희욱 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .08

차세대 비휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered Tunnel Barrier (Si3N4/ZrO2, Si3N4/HfAlO)에 대한전기적 특성 평가

이동현 ,  정홍배 ,  이영희 외 1명

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2011 .08

Improved memory characteristics using high-k materials for charge trap layer and engineered tunnel barrier

김민수 ,  김관수 ,  유희욱 외 6명

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2009 .02

Effect of heat treatment on HfO₂ charge trapping layer for engineered tunnel barrier non-volatile memory

박군호 ,  김관수 ,  정명호 외 4명

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2009 .02

용액 공정을 통한 HfO2/ZrO2 구조 차이에 따른 Dielectric layer의 특성 변화 분석

김현기 ,  최병덕

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2016 .02

Electrical Properties of Al2O3/SiO2 and HfAlO/SiO2 Double Layer with Various Heat Treatment Temperatures for Tunnel Barrier Engineered Memory Applications

손정우 ,  정홍배 ,  이영희 외 1명

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2011 .02

Effect of low temperature microwave irradiation on tunnel layer of charge trap flash memory cell

홍은기 ,  김소연 ,  조원주

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2016 .02

Electrical characteristics of SiC thin film charge trap memory with barrier engineered tunnel layer

Dong Seok Han ,  Dong Uk Lee ,  Hyo Jun Lee 외 3명

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2010 .08

Improvement of the programming and erasing characteristics of non-volatile memory devices using carbon oxide tunneling layer with low interface trap density

Sojin LEE ,  Kyungsoo JANG ,  Cam Phu THI NGUYEN 외 2명

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2016 .08

Analysis on interface trap density of MOS capacitor with Al-doped HfO₂ insulation layer

Jiho Seo ,  Changhwan Shin

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2020 .02

Temperature Dependency of Tunnel Barrier Enginnered (TBE) Charge Trap Flash (CTF) Memory

오세만 ,  박군호 ,  오준석 외 6명

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2009 .02

Characterization of ALD (HfO2)x(SiO2)1-x dielectrics on p-Si(100)

H. Jin ,  H. J. Kang ,  M.-H. Cho

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2006 .08

Increasing P/E Speed and Memory Window by Using Si-rich SiOx for Charge Storage Layer to Apply for Non-volatile Memory Devices

김태용 ,  Phu Thi Nguyen ,  김지웅 외 1명

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2014 .02

Effect of grain size on the electrical characteristics of three-dimensional NAND flash memory devices

김태환 ,  이준규

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2020 .02

Memory characteristics of Cobalt-Silicide nanocrystals embedded in HfO₂ gate oxide for nonvolatile flash devices

JunSeok Lee ,  JooHyung Kim ,  JungYup Yang 외 1명

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2008 .02

Electrical characteristics of multi-stacked ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ capacitors

Gaeun Lee ,  Byoungdeog Choi

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2020 .02

Properties of HfSi_xO_y/HfO₂ film as a various Annealing Temperature

송유주 ,  박재경 ,  노용한

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2008 .08