Programming/Erasing Characteristics of HfO2 Charge Trap Flash Memory with SiO₂/ZrO₂ as Engineered Tunnel Barrier

유희욱 ,  김관수 ,  정명호 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Improved memory characteristics using high-k materials for charge trap layer and engineered tunnel barrier

김민수 ,  김관수 ,  유희욱 외 6명

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2009 .02

Thickness dependence of electrical properties in charge trap flash (CTF) memory with HfO₂ trap and Al₂O₃ blacking layer

오세만 ,  유희욱 ,  조원주

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2009 .08

Electrical characteristics of SiC thin film charge trap memory with barrier engineered tunnel layer

Dong Seok Han ,  Dong Uk Lee ,  Hyo Jun Lee 외 3명

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2010 .08

Effect of low temperature microwave irradiation on tunnel layer of charge trap flash memory cell

홍은기 ,  김소연 ,  조원주

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2016 .02

Effect of heat treatment on HfO₂ charge trapping layer for engineered tunnel barrier non-volatile memory

박군호 ,  김관수 ,  정명호 외 4명

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2009 .02

Heat treatment effect of high-k HfO2 for tunnel barrier memory application

황영현 ,  유희욱 ,  김민수 외 2명

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2010 .02

Analysis on interface trap density of MOS capacitor with Al-doped HfO₂ insulation layer

Jiho Seo ,  Changhwan Shin

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2020 .02

차세대 비휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered Tunnel Barrier (Si3N4/ZrO2, Si3N4/HfAlO)에 대한전기적 특성 평가

이동현 ,  정홍배 ,  이영희 외 1명

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2011 .08

Charge trap flash 메모리 소자의 셀 간 간격의 변화에 따른 셀 사이의 간섭 현상

박훈민 ,  장상현 ,  유주형 외 1명

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2010 .08

Charge Pumping Method를 이용한 N-type MOSFET의 Interface Trap(Dit) 분석

고선욱 ,  김상섭 ,  최병덕

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2014 .02

Improvement of Charge Trap Density Characteristics by Controlling Trapping Layer Gas Ratio in a-ITZO Non-Volatile Memory Devices

김태용 ,  김지웅 ,  이준신

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2014 .08

Analysis of Trap Distribution of MOSFET using Charge Pumping Method

Soonkon Kim ,  Byoungdeog Choi

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2017 .08

Temperature Dependency of Tunnel Barrier Enginnered (TBE) Charge Trap Flash (CTF) Memory

오세만 ,  박군호 ,  오준석 외 6명

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2009 .02

Direct observation of charge trap density and its spatial distribution in a four-bit/cell SONOS memory using a charge pumping method

Y. J. Zhang ,  H. M. An ,  Y. J. Seo 외 4명

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2009 .02

Charge pumping method를 이용한 MOSFET소자의 Trap분포 연구

김순곤 ,  최병덕

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2015 .08

Improvement of the programming and erasing characteristics of non-volatile memory devices using carbon oxide tunneling layer with low interface trap density

Sojin LEE ,  Kyungsoo JANG ,  Cam Phu THI NGUYEN 외 2명

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2016 .08

Nonvolatile charge trap memory device with In-Ga-Zn-O active channel layer using Microwave Irradiation

이기용 ,  박경란 ,  조원주

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2015 .02

Effect of grain size on the electrical characteristics of three-dimensional NAND flash memory devices

김태환 ,  이준규

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2020 .02