Native Transistor를 이용한 30㎚ 급 SONOS NAND 비휘발성 메모리의 고전압 발생기와 스위치

장임선; 윤한섭; 곽계달

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 장임선 (한양대학교) 윤한섭 (한양대학교) 곽계달 (한양대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2009년 정기총회 및 추계종합학술대회

발행연도: 2009.11

수록면: 35 - 36 (2page)

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본 논문은 30㎚ scale SONOS 8X8 NAND Cell Array의 동작 특성 검증을 위한 주변 회로의 고전압 스위치를 제안하였다. 이 스위치는 낮은 공급 전압에서 높은 pumping 효율을 갖으며, pumping 회로 ... 전체 초록 보기

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윤한섭

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주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전자공학 TOP 10%

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곽계달

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논문수 188 이용수 6,148

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