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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
285 - 296 (12page)

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Reduced pressure chemical vapor deposition technology has been used to study SiGe heterostructure epitaxy and device issues, including SiGe relaxed buffers, proper control of Ge component and crystalline defects, two dimensional delta doping, and their influence on electrical properties of devices. From experiments, 2D profiles of B and P presented FWHM of 5 nm and 20 nm, respectively, and doses in 5x1011～3x1014 cm-2 range. The results could be employed to fabricate SiGe/Si heterostructure field effect transistors with both Schottky contact and MOS structure for gate electrodes. I-V characteristics of 2D P-doped HFETs revealed normal behavior except the detrimental effect of crystalline defects created at SiGe/Si interfaces due to stress relaxation. On the contrary, sharp B-doping technology resulted in significant improvement in DC performance by 20～30 % in transconductance and short channel effect of SiGe HMOS. High peak concentration and mobility in 2D-doped SiGe heterostructures accompanied by remarkable improvements of electrical property illustrate feasible use for nano-sale FETs and integrated circuits for radio frequency wireless communication in particular.
#-Doping #Reduced pressure chemical vapor deposition #SiGe #HMOS #RF-CMOS

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/ 2000. / Low-temperature growth of in situ phosphorous-doped silicon films 369 : 185 ~ google schola / 2000. / Properties of Silicon Germanium and SiGe : 327 ~ google schola / 2001. / Appli- cations of Silicon-germanium Heterostruc- ture Devices Institute of Physics Publishing : 196 ~ google schola / 2001. / Si/SiGe heterostructures for Si-based nano-elec- tronics 2 (1) : 1 ~ google schola / 2002. / High transconductance modulation- doped SiGe pMOSFETs by RPCVD 38 (23) : 1497 ~ google schola

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