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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제11호
발행연도
2009.1
수록면
905 - 909 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2013

SixGe1-x/Si/SixGe1-x Channel을 가진 JFET의 전기적 특성
박병관 ,  유주태 ,  김동훈 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2013.02 학술대회자료

2009

SiGe JFET과 Si JFET의 전기적 특성 비교
박병관 ,  양현덕 ,  최철종 외 1명 전기전자재료학회논문지 2009.01 학술저널
SiGe/Si/SiGe Channel을 이용한 JFET의 전기적 특성
박병관 ,  양현덕 ,  최철종 외 2명 전기전자재료학회논문지 2009.01 학술저널

초록· 키워드

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The new Junction Field Effect Transistors (JFETs) with Silicon-germanium (SiGe) layers is investigated. This structure uses SiGe layer to prevent out diffusion of boron in the channel region. In this paper, we report electrical properties of SiGe JFET measured under various design parameters influencing the performance of the device. Simulation results show that out diffusion of boron is reduced by the insertion SiGe layers. Because the SiGe layer acts as a barrier to prevent the spread of boron. This proposed JFET, regardless of changes in fabrication processes, accurate and stable cutoff voltage can be controlled. It is easy to maintain certain electrical characteristics to improve the yield of JFET devices.
#JFET #SiGe #Junction #Diffusion #SILVACO

목차

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참고문헌 (3)

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J. C. Zolper / 1996 / Ion Implantation for High Performance Ⅲ-Ⅴ JFETS and HFETS / Microwave Signal, Inc. google schola M. Citterio / 1995 / Low noise monolithic Si-JFET's for operation in the 90-300 K range and in high radiation environments / Proc. Symp, Low Temp. Electronics and High Temp. Superc google schola N. R. Zangenberg / 2003 / Boron and phosphorus diffusion in strained and relaxed Si and SiGe / J. Appl. Phys. 94 (6) google schola

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