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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
In-Young Chung (광운대학교)
저널정보
대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
발행연도
2008.6
수록면
567 - 570 (4page)

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In this paper is introduced a new method to eliminate the offset of a comparator using FN stress phenomena of MOS transistor. This method evaluates comparator’s offset and gives FN stresses on necessary MOS transistors of comparators, through a series of simple operations such as precharge, enable, and supply-voltage elevation, finally leading to offset cancellation through MOS VT shifts. The offset is moved sufficiently close to zero after the offset cancellation task is completed. The method shows various practical features in that it is fully compatible to the CMOS processes and that it does neither damage timing parameters nor increase layout area.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Fowler-Nordheim Stress
3. Offset Cancellation Method
4. Test Results
5. Conclusions
Acknowledgments
References

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