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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.12
- 수록면
- 2,505 - 2,510 (6page)
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SiOC 박막은 화학적 증착 방법에 의해 여러 가지 유량비를 다르게 하여 증착되었다. SiOC 박막에서 유전 상수의 감소 원인에 대하여 조사하고 샘플들은 박막의 두께와 유전상수 사이의 상관성에 대하여 분석하였다. 증착한 샘플에서 박막의 두께는 굴절률에 비례하는 경향성이 있으며, 유전상수가 가장 낮은 샘플에서 두께는 감소되었다. 굴절률은 열처리 후 감소하였는데, 열처리 하면서 박막의 두께가 감소되었기 때문이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - M. A. Tamor / 1990 / Graphitic network models of diamondlike carbon / J.Appl. Phys. 67 (2) : 1007 ~ 1012
2. [학술지(정기간행물)] - Geon Joon Lee / 2009 / Effect of Post Thermal Annealing on Femtosecond Laser Crystallization of 500-nm-thick Amorphous Silicon Films / Journal of the Korean Physical Society 55 (1) : 50 ~ 54
3. [학술지(정기간행물)] - 최치규 / 2009 / Investigation of Electrical Conduction in Low-dielectric-constant SiOC(-H) Thin Films Deposited by Using PECVD / Journal of the Korean Physical Society 55 (1) : 227 ~ 231
4. [학술지(정기간행물)] - Jung, Hak-Kee / 2009 / Subthreshold Current Model of FinFET Using Three Dimensional Poisson's Equation / International Journal of Maritime Information and Communication Sciences 7 (1) : 57 ~ 61
5. [학술지(정기간행물)] - Doosik Kim / 2002 / Energy and angular distributions of ions and neutrals extracted from a slot in contact with a high-density plasma / IEEE TRANSACTION ON PLASMA SCIENCE 30 : 126 ~ 127
2. [학술지(정기간행물)] - Geon Joon Lee / 2009 / Effect of Post Thermal Annealing on Femtosecond Laser Crystallization of 500-nm-thick Amorphous Silicon Films / Journal of the Korean Physical Society 55 (1) : 50 ~ 54
3. [학술지(정기간행물)] - 최치규 / 2009 / Investigation of Electrical Conduction in Low-dielectric-constant SiOC(-H) Thin Films Deposited by Using PECVD / Journal of the Korean Physical Society 55 (1) : 227 ~ 231
4. [학술지(정기간행물)] - Jung, Hak-Kee / 2009 / Subthreshold Current Model of FinFET Using Three Dimensional Poisson's Equation / International Journal of Maritime Information and Communication Sciences 7 (1) : 57 ~ 61
5. [학술지(정기간행물)] - Doosik Kim / 2002 / Energy and angular distributions of ions and neutrals extracted from a slot in contact with a high-density plasma / IEEE TRANSACTION ON PLASMA SCIENCE 30 : 126 ~ 127
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