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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
오데레사 (청주대학교 반도체공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제25권 제7호
발행연도
2015.1
수록면
352 - 357 (6page)

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To research the characteristics of ITO film depending on a polarity of SiOC, specimens of ITO/SiOC/glass with metal-insulator-substrates (MIS) were prepared using a sputtering system. SiOC film with 17 sccm of oxygen flow rate became a non-polarity with low surface energy. The PL spectra of the ITO films deposited with various argon flow rates on SiOC film as non-polarity were found to lead to similar formations. However, the PL spectra of ITO deposited with various argon flow rates on SiOC with polarity were seen to have various features owing to the chemical reaction between ITO and the polar sites of SiOC. Most ITO/SiOC films non-linearly showed the Schottky contacts and current increased. But the ITO/SiOC film with a low current demonstrated an Ohmic contact.

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