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학술저널
저자정보
이재형 (창원대학교) 강민철 (창원대학교) 김려연 (창원대학교) 장지혜 (창원대학교) 하판봉 (창원대학교) 김영희 (창원대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제13권 제7호
발행연도
2009.7
수록면
1,371 - 1,378 (8page)

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본 논문에서는 로직 공정 기반의 저전력 eFuse OTP 메모리 셀을 제안하였다. eFuse OTP 메모리 셀은 프로그램과 읽기 모드에 최적화되도록 각각의 트랜지스터를 사용하였으며, WL과 BL의 기생적인 커패시턴스를 줄이므로 읽기 모드에서의 동작 전류를 줄였다. 그리고 저전력, 저면적의 eFuse OTP 메모리 IP 설계를 위하여 비동기식 인터페이스, 분리된 I/O, 디지털 센싱 방식의 BL 감지 증폭기 회로를 사용하였다. 모의실험 결과 읽기 모드에서의 동작전류는 VDD, VIO 각각 349.5㎂, 3.3㎂로 나왔다. 그리고 동부하이텍 0.18㎛ generic 공정으로 설계된 eFuse OTP 메모 리 IP의 레이아웃 면적은300 x 557㎛²이다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로설계
Ⅲ. 모의실험 및 측정결과
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (5)

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